深圳威纳科技智能化安防定制专家

公司新闻

新闻资讯

News Information

公司新闻    /Company News

当前所在位置:首页>>新闻资讯 >> 公司新闻

ESD防静电门禁系统应对ESD对电子器件的损伤

作者: 深圳威纳科技发表时间:2019-07-24 10:08:37浏览量:100

无论ESD直接对电子器件放电,还是对电子器件间接放电,均能使电子器件受到损伤。既能引起器件功能的突发性失效,又能引起器件功能的潜在性失效。所以ESD防静电门禁通道就很必要了。 突发性失效是指当电...
文本标签:健身房人脸门禁,车牌识别一体机,停车场收费系统,车牌识别系统,ESD防静电门禁系统,ESD防静电门禁通道

       无论ESD直接对电子器件放电,还是对电子器件间接放电,均能使电子器件受到损伤。既能引起器件功能的突发性失效,又能引起器件功能的潜在性失效。所以ESD防静电门禁通道就很必要了。


       突发性失效是指当电子器件暴露在ESD环境中时,电路参数可能明显发生变化,它的功能可能丧失。ESD可能引起金属熔化造成短路或者绝缘层击穿等,使器件的电路遭到永久性的破坏。这类失效可以在装运之前的成品测试中检查出来。据有关资料统计表明,在受静电损伤的电子器件中,突发性失效约占失效总数 的 10%。


      很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层被击穿,使 器件失效。一般MOS器件的栅氧化膜厚度为1(T7 m数量级,当电 路设计没有采取保护措施时,即便是致密无针孔的高质量氧化层, 也会在100 V的静电电压下被击穿。对于有保护措施的电路,虽然 击穿电压可能髙于100 V,但危险静电源的电压可能是几千伏,甚 至上万伏。因此,高压静电场的击穿效应仍然是MOS电路的一大 危害。另外,高压静电场也可能使多层布线电路间介质击穿或金属 化导线间介质击穿,造成电路失效。 


ESD防静电门禁通道


返回
2019-07-24 100人浏览

深圳市威纳智能科技有限公司
联系电话:18124113125
联系人:严经理
邮箱:1227395297@qq.com
办公地址:深圳市龙华区观澜街道大水坑小学路观兰创客空间415号

扫一扫查看手机网站

Copyright ©深圳市威纳智能科技有限公司 All Rights Reserved 版权 粤ICP备18111908号 技术支持:玖叁网络    后台服务